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普泰克-半导体专用温控操作使用

更新时间:2025-07-24点击次数:128

一、操作前准备

  1. 设备检查
    • 外观与连接:检查设备外壳无破损,电源线、信号线(如与工艺腔室的通讯线)、冷却管路(水冷式)连接牢固,无松动或泄漏。

    • 安全装置:确认急停按钮、超温报警、过流保护等安全功能正常(可通过设备自检模式验证)。

    • 温控介质:若为液体温控(如导热油、去离子水),检查介质液位在规定范围(通常≥80%),无杂质或变质;若为气体温控(如氮气),确认气源压力稳定(一般 0.4-0.6MPa),纯度符合工艺要求(如≥99.999%)。

    • 环境条件:设备工作环境需洁净(Class 1000 及以上洁净室)、无振动(振幅≤0.1μm)、温度 18-25℃、湿度 40-60%,避免粉尘或腐蚀性气体影响温控精度。

  2. 工艺参数确认
    • 根据生产工单明确工艺需求:目标温度(如退火工艺可能为 1000-1200℃,光刻胶固化可能为 90-120℃)、温控精度(通常 ±0.1℃,工艺需 ±0.01℃)、升温速率(如 5-10℃/min)、保温时间(如 30-60s)、温控区域(单点温控或多点分区温控)。

    • 确认温控对象(如晶圆载台、光刻镜头、反应腔内壁)的材质兼容性,避免温控介质与对象发生化学反应(如金属载台需避免与酸性导热液接触)。


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